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cmp 文章 進(jìn)入 cmp技術(shù)社區
利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )進(jìn)行 CMP 氧化物沉積表面輪廓建模
- 簡(jiǎn)介化學(xué)機械拋光 (CMP) 是當今集成電路 (IC) 制造工藝中的關(guān)鍵作業(yè)。由于設計極其緊湊，并且 縮小到最先進(jìn)的工藝技術(shù)節點(diǎn)，CMP 后的平面性變化可能會(huì )對制造成功產(chǎn)生重大影響。為了減輕 CMP 工藝的負面影響，大多數 IC 制造商使用 CMP 建模來(lái)檢測前道工序 (FEOL) 和 后道工序 (BEOL) 層中的潛在弱點(diǎn)，作為其可制造性設計 (DFM) 流程的一部分。CMP 弱點(diǎn)分 析旨在尋找設計中經(jīng)過(guò) CMP 后出現缺陷的概率高于平均值的區域。不同材料在 CMP 工藝 下會(huì )表現出不同的腐蝕速率，因此
- 關(guān)鍵字： 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò ) CMP 輪廓建模
用于扇出型晶圓級封裝的銅電沉積
- 隨著(zhù)集成電路設計師將更復雜的功能嵌入更狹小的空間，異構集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟的方式。作為異構集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來(lái)越多的認可。此種封裝解決方案的主要優(yōu)勢在于其封裝的基片更少，熱阻更低，電氣性能也更優(yōu)秀。這是一個(gè)體現“超越摩爾定律”的例子，即使用 “摩爾定律”以外的技術(shù)也能實(shí)現更高的集成度和經(jīng)濟效益。圖1. 2.5D封裝中的中介層結構異構集成技術(shù)高密度扇出型封裝技術(shù)滿(mǎn)足了移動(dòng)手機封裝的外形尺寸與性能要求，因此獲得了技術(shù)界的廣泛關(guān)注。
- 關(guān)鍵字： RDL CMP
意法半導體 (ST) 通過(guò)CMP為原型設計廠(chǎng)商提供先進(jìn)的BCD8sP智能功率技術(shù)
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST) 和 CMP (Circuits Multi Projets®) 宣布，通過(guò)CMP的硅制造代理服務(wù) (silicon brokerage service)，讓大學(xué)院校、科研實(shí)驗室和設計企業(yè)有機會(huì )使用意法半導體的 BCD8sP 智能功率芯片制造技術(shù)平臺。 這是意法半導體首次向第三方廠(chǎng)商開(kāi)放BCD技術(shù)，反映了功率集成概念在提升計算機、消費電子、工業(yè)應用的性能等方面越來(lái)越重要。意法半導體傳
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 CMP BCD8sP
陶氏電子材料事業(yè)群針對鈰基研磨應用領(lǐng)域推出IKONIC?4000系列新CMP研磨墊產(chǎn)品
- 陶氏化學(xué)公司旗下的陶氏電子材料事業(yè)群日前推出了IKONIC??4000系列的化學(xué)機械研磨(CMP)研磨墊產(chǎn)品。該系列研磨墊初期將主要面向鈰基應用?！ 皹I(yè)界對于IKONIC??技術(shù)?的總體反映可謂出奇的好，”陶氏電子材料事業(yè)群的CMPT?市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)總監Colin?Cameron?介紹說(shuō)?！癐KONIC?4000?系列為我們提供了最尖端的產(chǎn)品設計所普遍需要的很多至關(guān)重要的屬性。這些研磨墊具備高度的可調性，能夠進(jìn)行定制以應對特定
- 關(guān)鍵字： 陶氏 KONIC CMP
高介電常數柵電介質(zhì)/金屬柵極的FA CMP技術(shù)
- 高介電常數柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)HKMG)使摩爾定律在45/32納米節點(diǎn)得以延續。目前的HKMG工藝有兩 ...
- 關(guān)鍵字： 高介電 常數柵 電介質(zhì)/金屬柵極 FA CMP
Alpsitec喜獲中國河北工業(yè)大學(xué)訂單
- 在法國東南部阿爾卑斯山腳下的格勒諾布爾市(Grenoble)及附近地區，因為該區域內有CEA-LETI研究院、ST微電子研發(fā)中心等多家頂級微電子研究機構和多所大學(xué)，近年成為了歐洲半導體產(chǎn)業(yè)的新科技中心，同時(shí)許多新創(chuàng )公司在該地區成立并取得發(fā)展，因而被稱(chēng)為歐洲硅谷。位于此間專(zhuān)注于化學(xué)機械拋光(CMP)和工業(yè)視覺(jué)的Alpsitec有限公司不久前喜獲中國河北工業(yè)大學(xué)訂單，在該地區中小半導體企業(yè)中掀起了一次“中國潮”。
- 關(guān)鍵字： Alpsitec 半導體 CMP E460
中國半導體CMP市場(chǎng)潛力無(wú)限
- 作為芯片制造不可或缺的一環(huán)，CMP工藝在設備和材料領(lǐng)域歷來(lái)是“兵家必爭之地”。中國自2007年以來(lái)一直是最大的半導體消費國，但半導體產(chǎn)量卻不足國內消耗量的10%。未來(lái)幾年，中國預計將投資數十億美元來(lái)彌合產(chǎn)量與消耗量之間的差距，主要是從二級設備市場(chǎng)獲取工具以提高生產(chǎn)能力。 Entrepix Asia董事總經(jīng)理TK Lee表示，“Entrepix已經(jīng)充分準備好支持中國的發(fā)展。通過(guò)Entrepix Asia，我們?yōu)橹袊鴰?lái)了大量翻新過(guò)的化學(xué)機械研磨和度量及相關(guān)設備、
- 關(guān)鍵字： 芯片制造 CMP
Schiltron與Entrepix合作利用CMP達成3-D閃存制造新架構?
- 3-D Flash新創(chuàng )公司Schiltron Corporation與專(zhuān)門(mén)提供化學(xué)機械拋光設備及代工服務(wù)的領(lǐng)先供應商Entrepix合作發(fā)展使用現有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡(jiǎn)單直接的方式擴大產(chǎn)量。 Schiltron 3-D Flash制造方式的最關(guān)鍵工藝的步驟是化學(xué)機械設備(CMP)的達成。該公司的聯(lián)合開(kāi)發(fā)的努力已制造迄今為止最小的矽基薄膜電晶體(Silicon-base thin-film transistors) 。 晶體管結構和低溫度預算工藝步驟(low
- 關(guān)鍵字： Entrepix 晶體管 CMP 矽基薄膜電晶體
2009年中國國際半導體技術(shù)研討會(huì )成功在上海舉辦
- 由SEMI、ECS及中國高科技專(zhuān)家組共同舉辦的中國國際半導體技術(shù)研討會(huì )成功于3月19-20日在上海召開(kāi)。諾貝爾物理學(xué)獎得主、IBM院士Georg Bednorz、Intel資深院士Robert Chau、IMEC CEO Gilbert Declerck、Praxair CTO Ray Roberge為大會(huì )作主題演講，為550名與會(huì )的國內外半導體產(chǎn)業(yè)界人士介紹國際最前沿的納米技術(shù)、微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢。本次研討會(huì )的成功召開(kāi)為提升中國半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平，將國際最先進(jìn)的技術(shù)與理念引進(jìn)中國起到了積極的推動(dòng)
- 關(guān)鍵字： Intel 半導體 光刻 薄膜 CMP
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